नई ऊर्जा वाहनों और उच्च {{1}शक्ति बिजली आपूर्ति के लिए मोटर नियंत्रकों के परीक्षण में ऑप्टो{0}पृथक जांच को सफलतापूर्वक लागू किया गया है। उन्होंने अपर्याप्त कॉमन मोड रिजेक्शन रेशियो (CMRR) के कारण पारंपरिक अंतर जांच के साथ सिग्नल दोलन की चुनौती को हल कर दिया है, जिससे इंजीनियरों को सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) उपकरणों में उच्च साइड स्विच के वास्तविक वीजीएस तरंगों को सटीक रूप से पकड़ने में मदद मिली है, जिससे सर्किट डिजाइन का अनुकूलन हुआ और उत्पाद की विश्वसनीयता में वृद्धि हुई।
I. नई ऊर्जा वाहन मोटर नियंत्रकों के लिए दोहरी - पल्स परीक्षण
1. अनुप्रयोग पृष्ठभूमि
SiC/GaN बिजली उपकरणों का उपयोग करने वाले मोटर नियंत्रक नैनोसेकंड स्तर तक पहुंचने वाली स्विचिंग गति के साथ काम करते हैं, जिससे महत्वपूर्ण उच्च आवृत्ति विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप (ईएमआई) उत्पन्न होता है।
परीक्षण का उद्देश्य: स्विचिंग हानियों और गतिशील प्रदर्शन का मूल्यांकन करने के लिए, ब्रिज सर्किट के भीतर उच्च -साइड MOSFETs के वीजीएस (गेट{0}}स्रोत वोल्टेज) को मापना।
2. पारंपरिक समाधान के साथ दर्द बिंदु
माप के लिए 200 मेगाहर्ट्ज बैंडविड्थ अंतर जांच का उपयोग करते समय, वीजीएस सिग्नल गंभीर दोलन और विरूपण से पीड़ित था। इंजीनियरों ने अक्सर इसे सर्किट डिज़ाइन दोष के रूप में गलत निदान किया, जिसके कारण बार-बार {{2}और अंततः अप्रभावी{3}डिज़ाइन संशोधन हुए।
3. ऑप्टो-पृथक समाधान
कार्यान्वयन में MHO3-5004 उच्च-रिज़ॉल्यूशन ऑसिलोस्कोप के साथ युग्मित Micsig MOIP1000P ऑप्टो -पृथक जांच का उपयोग किया गया:
Achieved a Common Mode Rejection Ratio (CMRR) of up to 180 dB, maintaining performance of >1 गीगाहर्ट्ज़ फ़्रीक्वेंसी बैंड के भीतर भी 100 डीबी।
उच्च बैंडविड्थ और उच्च सीएमआरआर के लिए एक साथ आवश्यकताओं को सफलतापूर्वक पूरा किया, सामान्य -मोड हस्तक्षेप को प्रभावी ढंग से दबा दिया।
निम्न - साइड स्विच के करंट को RCP1200XS रोगोस्की कॉइल का उपयोग करके गैर-संपर्क मापा गया, जिससे डिवाइस के नाजुक पिनों को संभावित नुकसान से बचाया जा सके।
4. कार्यान्वयन परिणाम
सैद्धांतिक विश्लेषण के साथ अत्यधिक संरेखित स्पष्ट वीजीएस तरंगरूपों को सफलतापूर्वक कैप्चर किया गया।
ग्राहक प्रतिक्रिया: "दोलनशील तरंगें गायब हो गई हैं, और परीक्षण के परिणाम अब विश्वसनीय हैं," जिसके परिणामस्वरूप अनुसंधान एवं विकास चक्र में महत्वपूर्ण कमी आई है।
द्वितीय. उच्च -पावर डीसी विनियमित विद्युत आपूर्ति का विकास और परीक्षण
1. अनुप्रयोग पृष्ठभूमि
बिजली आपूर्ति इकाई सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणों का उपयोग करती है और उच्च {{0}वोल्टेज, उच्च {{1}आवृत्ति वातावरण में संचालित होती है; परिणामस्वरूप, उच्च-साइड वीजीएस की माप उच्च{{3}आवृत्ति हार्मोनिक हस्तक्षेप से गंभीर रूप से प्रभावित होती है।
2. तकनीकी चुनौतियाँ
पारंपरिक विभेदक जांच उच्च आवृत्तियों पर सामान्य मोड अस्वीकृति अनुपात (सीएमआरआर) में गिरावट से ग्रस्त हैं। इससे चालू और बंद होने के दौरान सिग्नल में उतार-चढ़ाव होता है, जिससे यह निर्धारित करना असंभव हो जाता है कि देखा गया व्यवहार वास्तविक सर्किट ऑपरेशन का प्रतिनिधित्व करता है या नहीं।
3. ऑप्टिकल आइसोलेशन समाधान का कार्यान्वयन
MOIP1000P ऑप्टिकल आइसोलेशन जांच का उपयोग हाई साइड स्विच के वीजीएस को मापने के लिए किया गया था, जिसे आईडी करंट की निगरानी के लिए RCP600XS लचीली करंट जांच के साथ जोड़ा गया था।
ये जांचें SigOFIT™ तकनीक पर आधारित हैं, जो अल्ट्रा{{0}हाई कॉमन मोड रिजेक्शन क्षमताओं को सक्षम करती हैं।
4. परिणाम सत्यापन
ऑसिलोस्कोप ने डिजाइन अपेक्षाओं के अनुरूप स्पष्ट, विरूपण मुक्त वीजीएस और आईडी तरंगों को प्रदर्शित किया।
ग्राहक प्रतिक्रिया: "इससे अनुसंधान एवं विकास के दौरान आने वाली एक बड़ी समस्या हल हो गई, जिससे अनावश्यक सर्किट संशोधनों को रोका जा सका।"
तृतीय. तकनीकी लाभ का सारांश
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मीट्रिक |
ऑप्टिकल आइसोलेशन जांच (MOIP1000P) |
पारंपरिक विभेदक जांच |
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सामान्य मोड अस्वीकृति अनुपात (सीएमआरआर) |
180 डीबी तक; उच्च आवृत्तियों पर उत्कृष्ट रहता है |
कम आवृत्तियों पर उच्च; उच्च आवृत्तियों पर महत्वपूर्ण रूप से गिरावट आती है |
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लागू परिदृश्य |
उच्च-स्पीड स्विचिंग सर्किट (SiC/GaN) |
न्यूनतम हस्तक्षेप वाले कम -आवृत्ति वाले वातावरण या परिदृश्य |
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मापन निष्ठा |
वास्तविक वीजीएस तरंगरूपों को कैप्चर करता है |
हस्तक्षेप के प्रति संवेदनशील; सिग्नल विरूपण की संभावना |
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इंजीनियरिंग मूल्य |
गलत व्याख्याओं को कम करता है; अनुसंधान एवं विकास को गति देता है |
गलत डिज़ाइन पुनरावृत्तियों को जन्म दे सकता है |
मूल मूल्य: तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों पर केंद्रित उच्च {{0}गतिशील पावर इलेक्ट्रॉनिक्स प्रणालियों में, ऑप्टिकल अलगाव माप तकनीक परीक्षण परिणामों की प्रामाणिकता और अनुसंधान एवं विकास प्रक्रियाओं की दक्षता सुनिश्चित करने के लिए एक महत्वपूर्ण उपकरण बन गई है।
